HYG090ND06LS1C2, 60V 56A 60W 8m-@10V,20A 1.9V@250uA 39pF@25V 2 N-Channel 926pF@25V 18.5nC@10V -55-~+175-@(Tj) PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
7131 шт., срок 7 недель
170 руб.
от 10 шт. —
97 руб.
от 30 шт. —
81 руб.
от 100 шт. —
66.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 56A 60W 8mΩ@10V,20A 1.9V@250uA 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 56A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 926pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 39pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18.5nC@10V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.18 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
