PNM723T703E0-2, 40V 180mA 7.5-@10V,500mA 150mW 1.5V@250uA N Channel SOT-723 MOSFETs
7280 шт., срок 6 недель
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.10 руб.
от 2000 шт. —
6.19 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 180mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 180mA |
| Manufacturer | Shanghai Prisemi Elec |
| Package / Case | SOT-723 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 150mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5Ω @ 500mA, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet PNM723T703E0-2
pdf, 586 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
