MMBT5551, 50nA 160V 300mW 100@10mA,5V 600mA 300MHz 200mV@50mA,5mA +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
25250 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
3 руб.
от 6000 шт. —
2.57 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
160V 300mW 100@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | - |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | - |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Transistor Type | - |
Transition Frequency (fT) | - |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.