CES2316, 30V 4.8A 1.25W 34m-@10V,6A 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
290 шт., срок 7 недель
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
30V 4.8A 1.25W 34mΩ@10V,6A 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@10V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet CES2316
pdf, 141 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
