AO4449-VB, 30V 5.8A 42m-@10V,5.8A 2.5W 2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs
160 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
38 руб.
от 150 шт. —
36 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
30V 5.8A 42mΩ@10V,5.8A 2.5W 2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V, 5.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 386 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
