ME20P06-G, 60V 17.7A 39.1W 78m-@10V,20A 3V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
6545 шт., срок 6 недель
70 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
44 руб.
от 150 шт. —
38 руб.
от 500 шт. —
30.66 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 17.7A 39.1W 78mΩ@10V,20A 3V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 17.7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 39.1W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 17.7A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 39.1W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 78mО© @ 20A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet ME20P06-G
pdf, 1338 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
