HY19P03D, 30V 90A 50W 6m-@10V,45A 3V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs

HY19P03D, 30V 90A 50W 6m-@10V,45A 3V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4215 шт., срок 7 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.65 руб.
от 150 шт.57 руб.
от 500 шт.46.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015848492
Артикул: HY19P03D
Бренд: HUAYI

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 90A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 50W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 6mО© @ 45A,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet HY19P03D
pdf, 1264 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.