HY1503C1, 30V 34A 8.5m-@10V,10A 17.8W 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs
2426 шт., срок 7 недель
66 руб.
от 10 шт. —
52 руб.
от 30 шт. —
41 руб.
от 100 шт. —
34.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 66 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 34A 8.5mΩ@10V,10A 17.8W 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 34A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V, 10A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 17.8W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 673 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.