12P10-VB, 100V 8.8A 250m-@10V,8.8A P Channel TO-252-3 MOSFETs
100 шт., срок 7 недель
94 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 30 шт. —
62 руб.
от 100 шт. —
53.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 94 руб.
Описание
100V 8.8A 250mΩ@10V,8.8A P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 127mΩ@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
