SE80130G, 80V 130A 160W 4.3m-@10V,60A 4.5V@250uA N Channel TO-263-3 MOSFETs
22 шт., срок 6 недель
380 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 130A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3mΩ@10V, 60A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 160W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.18 |
Техническая документация
Datasheet SE80130G
pdf, 536 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары