FDT86244, 150V 2.8A 285m-@10V,2.8A 2.2W 4V@250uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs
1530 шт., срок 6 недель
65 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
40 руб.
от 150 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
27.86 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 325 руб.
Описание
150V 2.8A 285mΩ@10V,2.8A 2.2W 4V@250uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 128mΩ@2.8A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 395pF@75V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.2W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet FDT86244
pdf, 2063 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
