LSU05N65A, 650V 5A 2.3-@10V,2.5A 70W 4V@250uA 2.2pF@25V N Channel 560pF@25V 13nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-251 MOSFETs
30 шт., срок 7 недель
99 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 495 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 5A 2.3Ω@10V,2.5A 70W 4V@250uA N Channel TO-251 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V, 2.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 560pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 70W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.59 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.