AM3407PE-VB, 30V 4A 55m-@10V,4.1A 2W 2V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs
10 шт., срок 6 недель
59 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 295 руб.
Описание
30V 4A 55mΩ@10V,4.1A 2W 2V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V, 4.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 768 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
