AP2P053Y, 20V 5A 53m-@10V,4.5A 2W 1.2V@250uA 90pF@10V P Channel 1000pF@10V 10nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-26-6 MOSFETs
2995 шт., срок 7 недель
20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
14 руб.
от 150 шт. —
10 руб.
от 500 шт. —
8.63 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 5A 53mΩ@10V,4.5A 2W 1.2V@250uA P Channel SOT-26-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V, 4.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 103 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
