12N60L-TF2-T, 600V 12A 800m-@10V,6A 51W 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs
1 шт., срок 7 недель
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
600V 12A 800mΩ@10V,6A 51W 4V@250uA N Channel TO-220F2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 51W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.79 |
Техническая документация
Datasheet 12N60L-TF2-T
pdf, 379 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
