2SC2712G-G-AE3-R, 100nA 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA NPN +125-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

2650 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.5 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015874658
Артикул: 2SC2712G-G-AE3-R

Описание

50V 150mW 200@2mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 150mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 100mV@100mA, 10mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@2mA, 6V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 80MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 150mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.