AO3401, 30V 4.2A 65m-@10V,4.2A 350mW 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200540 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.80 руб.
от 3000 шт. —
3.97 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
30V 4.2A 65mΩ@10V,4.2A 350mW 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V, 4.2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 30V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 880pF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 65pF@-15V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.2nC@-10V |
Type | P Channel |
кол-во в упаковке | 10 |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.