MEM2303M3G, 30V 4.2A 58m-@10V,4.2A 1.4W 1.3V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs
2670 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 4.2A 58mΩ@10V,4.2A 1.4W 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10V, 4.2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet MEM2303M3G
pdf, 716 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
