AP2306AGN, SOT-23 MOSFETs
415 шт., срок 7 недель
39 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 195 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V, 6.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 69 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AOD4189, Транзистор P-MOSFET 40В 40A 62.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
