5N60 TO220-VB, 650V 4.5A 1.7-@10V,4.5A N Channel TO-220AB-3 MOSFETs
38 шт., срок 6 недель
230 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.95Ω@10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | 44.6W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | null |
Вес, г | 2.79 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 473 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары