2SD1816L-R-TN3-R, 1uA 100V 1W 100@500mA,5V 4A 180MHz 150mV@2A,200mA NPN +150-@(Tj) TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT

1800 шт., срок 6 недель
48 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.30 руб.
от 150 шт.28 руб.
от 500 шт.23.98 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015887541
Артикул: 2SD1816L-R-TN3-R

Описание

100V 1W 100@500mA,5V 4A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 4A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 100V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 150mV@2A, 200mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@500mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 1W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 180MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 100V
Manufacturer Unisonic Tech
Maximum DC Collector Current 4A
Package / Case TO-252-2(DPAK)
Packaging Tape и Reel(TR)
Pd - Power Dissipation 1W
Вес, г 0.45

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.