2SB834L-Y-TN3-R, Транзистор биполярный BJT 100мкА, 60 В, 26 Вт, 100 при 500 мА, 5 В, 3 А, 9 МГц, 1 В при 3 А, 300 мА PNP +125-@(Tj) TO-252
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2285 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
36 руб.
от 150 шт. —
32 руб.
от 500 шт. —
27.26 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 26W 100@500mA,5V 3A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 3A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@3A, 300mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@500mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 26W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 9MHz |
Manufacturer | UTC(Unisonic Tech) |
Package / Case | TO-252 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet 2SB834L-Y-TA3-T
pdf, 203 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары