2SB834L-Y-TN3-R, Транзистор биполярный BJT 100мкА, 60 В, 26 Вт, 100 при 500 мА, 5 В, 3 А, 9 МГц, 1 В при 3 А, 300 мА PNP +125-@(Tj) TO-252

2285 шт., срок 6 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.36 руб.
от 150 шт.32 руб.
от 500 шт.27.26 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015899395
Артикул: 2SB834L-Y-TN3-R

Описание

60V 26W 100@500mA,5V 3A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 3A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@3A, 300mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@500mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 26W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 9MHz
Manufacturer UTC(Unisonic Tech)
Package / Case TO-252
Packaging Tape & Reel (TR)
Вес, г 0.48

Техническая документация

Datasheet 2SB834L-Y-TA3-T
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.