2SC3356G-A-AE2-R, 1uA 12V 200mW 50@20mA,10V 100mA 7GHz NPN +150-@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT

20 шт., срок 6 недель
29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 145 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015900332
Артикул: 2SC3356G-A-AE2-R

Описание

12V 200mW 50@20mA,10V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 12V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) -
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 50@20mA, 10V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 7GHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.