12P10L-TN3-R, 100V 9.4A 50W 290m-@10V,4.7A 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
14735 шт., срок 7 недель
75 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
48 руб.
от 150 шт. —
42 руб.
от 500 шт. —
35.06 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 375 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 9.4A 50W 290mΩ@10V,4.7A 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 9.4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V, 4.7A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 50W |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 9.4A |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 50W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 290mΩ 4.7A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V 250uA |
Вес, г | 0.51 |
Техническая документация
Datasheet 12P10L-TN3-R
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.