12P10L-TN3-R, 100V 9.4A 50W 290m-@10V,4.7A 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs

14735 шт., срок 7 недель
75 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.48 руб.
от 150 шт.42 руб.
от 500 шт.35.06 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 375 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015908116
Артикул: 12P10L-TN3-R

Описание

100V 9.4A 50W 290mΩ@10V,4.7A 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 9.4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 290mΩ@10V, 4.7A
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 50W
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 9.4A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 50W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 290mΩ 4.7A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V 250uA
Вес, г 0.51

Техническая документация

Datasheet 12P10L-TN3-R
pdf, 329 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.