PNM523T201E0, SC-75(SOT-523) MOSFETs
900 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.70 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | В±1A(Tj=150В°C) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 140mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250mО© @ 650 mA,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet PNM523T201E0
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO3422A, Транзистор N-MOSFET 60В 2.1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
