2SA2016G-AB3-R, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 3,5 Вт 200 при 500 мА, 2 В 7 А 290 МГц 240 мВ при 2 А, 40 мА PNP +150-@(Tj) SOT-89-3

2941 шт., срок 6 недель
40 руб.
от 10 шт.29 руб.
от 30 шт.25 руб.
от 100 шт.17.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 40 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015917952
Артикул: 2SA2016G-AB3-R

Описание

50V 3.5W 200@500mA,2V 7A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 7A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 240mV@2A, 40mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@500mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 3.5W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 290MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 7A
Pd - Power Dissipation 3.5W
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2SA2016G-AB3-R
pdf, 301 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.