2SA2016G-AB3-R, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 3,5 Вт 200 при 500 мА, 2 В 7 А 290 МГц 240 мВ при 2 А, 40 мА PNP +150-@(Tj) SOT-89-3
2941 шт., срок 6 недель
40 руб.
от 10 шт. —
29 руб.
от 30 шт. —
25 руб.
от 100 шт. —
17.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 3.5W 200@500mA,2V 7A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 7A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 240mV@2A, 40mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@500mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 3.5W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 290MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 7A |
Pd - Power Dissipation | 3.5W |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SA2016G-AB3-R
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары