SVF10N65F, TO-220F MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 7 недель
170 руб.
от 10 шт. —
97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 10A |
Manufacturer | Hangzhou Silan Microelectronics |
Package / Case | TO-220F(TO-220IS) |
Packaging | Tube-packed |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 50W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1Ω @ 5A, 10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet SVF10N65F
pdf, 601 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.