NCE60P12K, 60V 12A 100m-@10V,12A 60W 2.2V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

NCE60P12K, 60V 12A 100m-@10V,12A 60W 2.2V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8060 шт., срок 7 недель
71 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.46 руб.
от 150 шт.40 руб.
от 500 шт.33.48 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 355 руб.
Номенклатурный номер: 8015927155
Артикул: NCE60P12K

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 12A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 60W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 100mΩ 12A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.2V 250uA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet NCE60P12K
pdf, 417 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.