NCE60P12K, 60V 12A 100m-@10V,12A 60W 2.2V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8060 шт., срок 7 недель
71 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
46 руб.
от 150 шт. —
40 руб.
от 500 шт. —
33.48 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 355 руб.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 12A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 60W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100mΩ 12A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V 250uA |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet NCE60P12K
pdf, 417 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.