2SD882SG-P-AB3-R, 1uA 30V 500mW 160@1A,2V 3A 80MHz 300mV@2A,200mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5510 шт., срок 6 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
11.39 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
30V 500mW 160@1A,2V 3A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 3A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A, 200mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@1A, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 3A |
Pd - Power Dissipation | 500mW |
Вес, г | 21 |
Техническая документация
Datasheet 2SD882SG-P-AB3-R
pdf, 184 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары