2SD882SG-P-AB3-R, 1uA 30V 500mW 160@1A,2V 3A 80MHz 300mV@2A,200mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT

5510 шт., срок 6 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.17 руб.
от 150 шт.14 руб.
от 500 шт.11.39 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8015927858
Артикул: 2SD882SG-P-AB3-R

Описание

30V 500mW 160@1A,2V 3A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 3A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@2A, 200mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 160@1A, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 80MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30V
Maximum DC Collector Current 3A
Pd - Power Dissipation 500mW
Вес, г 21

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.