NCE4688-VB, 60V 7.6A 25m-@10V,4.6A 5W 2.5V@250uA 55pF@30V N Channel 1.1nF@30V 10.5nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs

NCE4688-VB, 60V 7.6A 25m-@10V,4.6A 5W 2.5V@250uA 55pF@30V N Channel 1.1nF@30V 10.5nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
45 шт., срок 6 недель
190 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 30 шт.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 8015928046
Артикул: NCE4688-VB

Описание

60V 7.6A 25mΩ@10V,4.6A 5W 2.5V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 7.6A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V, 4.6A
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.1nF@30V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 5W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 55pF@30V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 10.5nC@4.5V
Type N Channel
Вес, г 0.14

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.