NCE4688-VB, 60V 7.6A 25m-@10V,4.6A 5W 2.5V@250uA 55pF@30V N Channel 1.1nF@30V 10.5nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
45 шт., срок 6 недель
190 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
60V 7.6A 25mΩ@10V,4.6A 5W 2.5V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 7.6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V, 4.6A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@30V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 5W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF@30V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@4.5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.