AP10P500N, 100V 1.2A 500m-@10V,1A 1.38W 3V@250uA 25pF@50V P Channel 420pF@50V 10.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
7320 шт., срок 7 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.30 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 420pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.38W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
