SE80160G, 80V 160A 2.8m-@10V,20A 285W 4V@250uA N Channel TO-263-3 MOSFETs
15 шт., срок 7 недель
320 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 160A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 285W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.25 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2134-Z, Транзистор N-MOSFET 200В 13А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![2SK2056, Транзистор, N-канал [2-10R1A / TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2605, Транзистор, N-канал, высокоскоростной ключ [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227995.jpg)
![2SK2632, Транзистор, N-канал, высокоскоростной ключ [TO-220FI(LS)]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547817.jpg)
