MMBT3904W_R1_00001, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA 300mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 шт., срок 6 недель

11 руб.

Кратность заказа 20 шт.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 220 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8015933679

Артикул: MMBT3904W_R1_00001

Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	200mA
Pd - Power Dissipation	150mW
Transistor Type	NPN
Brand:	Panjit
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	300 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100 at 10 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max:	300 at 10 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	Panjit
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-323-3
Pd - Power Dissipation:	150 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	GPT-02TAN
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.02