Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET ...

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,8А, 1,6Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 руб.

Кратность заказа 25 шт.

от 200 шт. — 12 руб.

от 375 шт. — 11 руб.

от 750 шт. — 9.35 руб.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 375 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8016016267

Артикул: SI2301CDS-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Описание Транзистор полевой SI2301CDS-T1-GE3 от известного производителя VISHAY - это высококачественный компонент, применяемый в современной электронике. N-MOSFET транзистор отличается стабильной работой при токе стока до 3,1 А и напряжении сток-исток до 20 В. Благодаря мощности в 1,6 Вт и миниатюрному корпусу SOT23, этот транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа в компактных устройствах. Надежность и долговечность - визитная карточка продукции VISHAY. Артикул SI2301CDST1GE3 гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для разработчиков и производителей электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	3.1
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	1.6
Корпус	SOT23

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	3.1A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	860mW
Rds On - Drain-Source Resistance	112mО© @ 2.8A,4.5V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20V
Vgs - Gate-Source Voltage	1V @ 250uA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.1
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)	2.3
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	112 4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	20
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	1
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)	175
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	8
Maximum Power Dissipation (mW)	860
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)	0.86
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	10
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	0.4
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Diode Forward Voltage (V)	0.8
Typical Fall Time (ns)	10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	5.5 4.5V\|3.3 2.5V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	1.6
Typical Gate to Drain Charge (nC)	1.3
Typical Gate to Source Charge (nC)	0.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	405 10V
Typical Output Capacitance (pF)	75
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	25
Typical Reverse Recovery Time (ns)	30
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	55 10V
Typical Rise Time (ns)	35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	30
Typical Turn-On Delay Time (ns)	11
Maximum Continuous Drain Current	2.3 A
Maximum Drain Source Resistance	112 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	860 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.05