IRFZ44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
195 руб.
от 50 шт. —
172.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 36А, 150Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 92 ns |
Id - Continuous Drain Current | 50 A |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms |
Rise Time | 110 ns |
RoHS | Details |
Series | IRF/SIHFZ44 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 67 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 110 ns |
Время спада | 92 ns |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Base Product Number | IRFZ44 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
Package | Tube |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 31A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Package Type | TO-220AB |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов