TIP31CG, TIP31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
106 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 10 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum DC Current Gain | 10 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.53 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TIP31C |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 50 |
Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
Height | 15.75 mm |
Length | 10.53 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | TIP31C |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Width | 4.83 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 83 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
TIP31C datasheet
pdf, 199 КБ
Транзисторы кт814-825
pdf, 135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов