TIP31CG, TIP31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB

Фото 1/4 TIP31CG, TIP31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.106 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 10 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 8016781540
Артикул: TIP31CG

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum DC Collector Current 3 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 3 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 40 W
Minimum DC Current Gain 10
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Pd - рассеивание мощности 40 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.75 mm
Длина 10.53 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 50
Серия TIP31C
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.83 mm
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 25
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 50
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Height 15.75 mm
Length 10.53 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series TIP31C
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.83 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов