IRFH5020TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 5.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 35 шт. —
140 руб.
от 69 шт. —
132 руб.
от 138 шт. —
124 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 200В 5.1A
Технические параметры
Корпус | PQFN 5x6 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 34 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 55 mO | |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SuperSO8 5x6 | |
Pin Count | 8 | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 | |
Fall Time: | 6 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 34 A | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | PQFN-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 3.6 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 11 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms | |
Rise Time: | 7.7 ns | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 284 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов