AUIRF1404Z, N-Channel MOSFET, 160 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 630 руб.
от 25 шт. —
1 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 630 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 100 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 110 ns |
| Время спада | 58 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001520218 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 180 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Part Status | LTB |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 2.7@10V |
| Typical Fall Time (ns) | 58 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 100 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 100@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4340@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 36 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
