FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 800 руб.
от 2 шт. —
14 020 руб.
от 3 шт. —
13 580 руб.
от 4 шт. —
13 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 800 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Технические параметры
| Корпус | AG-62MMHB | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 kW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Automotive | Unknown | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Dual | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 | |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 450 | |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 | |
| Mounting | Screw | |
| Packaging | Tray | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 7 | |
| Pin Count | 7 | |
| PPAP | Unknown | |
| Supplier Package | 62MM-1 | |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.75 | |
| Вес, г | 365.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 420 КБ
Datasheet FF300R12KT4HOSA1
pdf, 453 КБ
