IRLB3813PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 260А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 30 шт. —
217 руб.
от 100 шт. —
184.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 260А
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 140 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.35 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.95 |
Температура, С | -55…+175 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0016Ом |
Power Dissipation | 230Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 260А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0016Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 260 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 230 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 4.5 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов