IRLB8748PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 78A [TO-220AB]
![Фото 1/6 IRLB8748PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 78A [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757735.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
94 руб.
от 100 шт. —
75.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 30В 78A [TO-220AB]
Технические параметры
| Base Product Number | IRLB8748 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 92A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2139pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 40A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки: | 92 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 75 W |
| Qg - заряд затвора: | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 6.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.8 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Высота: | 15.65 mm |
| Длина: | 10 mm |
| Другие названия товара №: | IRLB8748PBF SP001567020 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | HEXFET |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Серия: | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Торговая марка: | Infineon / IR |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Ширина: | 4.4 mm |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 92 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 2.64 |
Техническая документация
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 273 КБ
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 273 КБ
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
