IRFHS8242TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 25В, 9,9А, 2,1Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
МОП-транзистор 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Qg - заряд затвора | 4.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 5.3 ns |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | SP001554858 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quint Drain Dual Source |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 5.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PQFN-6 |
| Ширина | 2 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DFN2020 |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet IRFHS8242TRPBF
pdf, 248 КБ
Документация
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
