SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 460 руб.
от 10 шт. —
4 080 руб.
от 25 шт. —
3 490 руб.
от 100 шт. —
2 866.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 460 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 160A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 95ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.6V@15V, 80A |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 300A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 345nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 90ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.76mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 40ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 2.5mJ |
| Type | - |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SGL160N60UFDTU
pdf, 662 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
