CSD18509Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм

CSD18509Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
540 руб.
от 10 шт.390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8017541597
Артикул: CSD18509Q5BT
Бренд: Texas Instruments

Описание

VSON-CLIP-8(6x5) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 250
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance - Min: 180 S
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation: 195 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 150 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.3 mOhms
Rise Time: 19 ns
Series: CSD18509Q5B
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 57 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
Вес, г 0.03

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов