ZXMD63N03XTA, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 1,9А, 1,25Вт, MSOP8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 30 шт. —
51 руб.
от 100 шт. —
41.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 1,9А, 1,25Вт, MSOP8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 4.1 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | MSOP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 870 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 135 mOhms |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Series: | ZXMD63 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet ZXMD63N03XTA
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
