2N7002K-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,31А, 0,37Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.70 руб.
от 3000 шт. —
2.86 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,31А, 0,37Вт, SOT23
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 380mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2О© @ 500mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 1mA |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 9.9 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 380 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 300 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
Rise Time: | 3.4 ns |
Series: | 2N7002K |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 380 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 540 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.3 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 641 КБ
Datasheet 2N7002K-7
pdf, 239 КБ
Datasheet 2N7002K-7
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов