IXFH110N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 110А, 694Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 680 руб.
от 10 шт. —
1 370 руб.
от 30 шт. —
1 180 руб.
от 90 шт. —
944.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, 250В, 110А, 694Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 110A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@55A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@3mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.4nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 694W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 157nC@10V |
| Type | null |
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 110A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 157nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 694W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Littelfuse/IXYS IXFH110N25T
pdf, 189 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
