MMBF170-7-F, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, Idm: 0,8А, 0,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.80 руб.
от 3000 шт. —
4.06 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,5А, Idm: 0,8А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 500mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 300mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5О© @ 200mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 5.3 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.4mm |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
Series: | MMBF170 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов