BSR58, Транзистор: N-JFET; полевой; 80мА; 250мВт; SOT23; Igt: 50мА

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

54 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 30 руб.

от 150 шт. — 27 руб.

от 500 шт. — 21.17 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 270 руб.

Номенклатурный номер: 8017548832

Артикул: BSR58

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт

Channel Type	N
Configuration	Single
Idss Drain-Source Cut-off Current	8 to 80mA
Maximum Drain Gate Voltage	40V
Maximum Drain Source Voltage	0.4 V
Maximum Gate Source Voltage	-40 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Width	1.3mm
Brand:	onsemi/Fairchild
Configuration:	Single
Drain-Source Current at Vgs=0:	80 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	onsemi
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	BSR58_NL
Pd - Power Dissipation:	250 mW
Product Category:	JFET
Product Type:	JFETs
Rds On - Drain-Source Resistance:	60 Ohms
Series:	BSR58
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Type:	JFET
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	-40 V
Drain-Gate Voltage (Max)	40(V)
Gate-Source Voltage (Max)	-40(V)
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Tape and Reel
Rad Hardened	No
Вес, г	0.05