2N4401TAR, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | 2N4401 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
Ширина | 3.93 mm |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.95 15mA 150mA|1.2 50mA 500mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 15mA 150mA|0.75 50mA 500mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 250(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Fan-Fold |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | TO-92 |
Supplier Package | TO-92 |
Type | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-92 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов